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JCS4N65VE-O-I-N-B	文件：823.43 Kbytes Page：13 Pages	丝印：JCS4N65VE；Package：TO-251；Electronic ballast 文件：823.43 Kbytes 页数：13 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N65VE-O-I-N-B	文件：996.5 Kbytes Page：16 Pages	丝印：JCS4N65V；Package：TO-251；LED power supply 文件：996.5 Kbytes 页数：16 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N65VE-R-I-N-B	文件：823.43 Kbytes Page：13 Pages	Electronic ballast 文件：823.43 Kbytes 页数：13 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N65VE-R-I-N-B	文件：996.5 Kbytes Page：16 Pages	LED power supply 文件：996.5 Kbytes 页数：16 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KF4N65F	文件：419.78 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS=650V, ID 文件：419.78 Kbytes 页数：7 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

更多JCS4N65VE-O-I-N-B供应商更新时间2025-10-6 11:10:00