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MDIS4N60	文件：1.07584 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDIS4N60BTH	文件：1.07586 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDP4N60TP	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME4N60	文件：1.07619 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MGP4N60E	文件：124.46 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGP4N60E	文件：120.94 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP4N60ED	文件：146.13 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MP4N60ER	文件：754.06 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge LEDpowersupplies FEATURES Lowgatecharge Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MP4N60ER-R-BR	文件：754.06 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitch modepowersupplies Electroniclampballasts basedonhalfbridge LEDpowersupplies FEATURES Lowgatecharge Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MS4N60	文件：872.88 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	JCS4N60RB-O-R-N-B	Sino-Micro	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	JCS4N60RB-O-R-N-B	Sino-Micro	23+	TO-252	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	JCS4N60RB-O-R-N-B	Sino-Micro	22+	TO-252	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	JCS4N60RC	华微	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	JCS4N60RC	HUAWEI	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	JCS4N60RC	HUAWEI	21+	TO-252	10000	原装现货假一罚十	询价
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