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NJ2N65D-LI	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N65D-TR	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N65F-LI	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N65-LI	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RLD2N65	文件：448.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=650V,ID=2A RDS(ON)=4Ω@VGS=10V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLF2N65CT	文件：442.5 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=650V,ID=2A RDS(ON)=3.6Ω@VGS=10V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RMP2N65TI	文件：915.84 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES LowCrss Lowgatecharge Fastswitching ImprovedESDcapability Improveddv/dtcapability 100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RT2N65M	文件：137.36 Kbytes Page：4 Pages	CompositeTransistorForMutingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT2N65Misacompositetransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION mutingcircuit、switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
SIF2N65C	文件：588.34 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SIF2N65D	文件：339.65 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC

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更多JCS2N65FC-O-F-N-B供应商更新时间2025-7-13 14:02:00

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