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NJ2N65	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N65A-LI	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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NJ2N65-LI	文件：625.96 Kbytes Page：6 Pages	2.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RLD2N65	文件：448.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=650V,ID=2A RDS(ON)=4Ω@VGS=10V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLF2N65CT	文件：442.5 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=650V,ID=2A RDS(ON)=3.6Ω@VGS=10V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RMP2N65TI	文件：915.84 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES LowCrss Lowgatecharge Fastswitching ImprovedESDcapability Improveddv/dtcapability 100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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