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JCS20N20CT-O-C-N-B	文件：1.81703 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
JCS20N20FT-O-F-N-B	文件：1.01266 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
MTB20N20E	文件：332.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB20N20E	文件：258.709 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhigh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB20N20E	文件：252.78 Kbytes Page：12 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP20N20	文件：203.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP20N20E	文件：248.63 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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SSFP20N20	文件：201.58 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark

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