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MDF12N50TH	文件：779.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50	文件：772.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50B	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50BTH	文件：331.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP12N50BTH	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50F	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50FTH	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50TH	文件：331.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP12N50TH	文件：772.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSAER12N50A	文件：48.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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