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KSMB10N60	文件：738.71 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF10N60	文件：678.62 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX10N60F	文件：1.62338 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MDF10N60B	文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.7(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF10N60BTH	文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.7(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF10N60BTH	文件：322.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF10N60GTH	文件：318.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF10N60GTH	文件：1.43302 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.7(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS10N60D	文件：942.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS10N60DTH	文件：942.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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详细参数

型号：
JCS10N60CT-O-C-N-B
制造商：
JSMC
制造商全称：
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
功能描述：
N-CHANNEL MOSFET

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