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KF10N60PSLASHF	文件：401.53 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM10N60	文件：731.34 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM10N60C	文件：2.11368 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB10N60	文件：738.71 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF10N60	文件：678.62 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KX10N60F	文件：1.62338 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MDF10N60B	文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.7(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF10N60BTH	文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,10A,0.7(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF10N60BTH	文件：322.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF10N60GTH	文件：318.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
JCS10N60BT
制造商：
JSMC
制造商全称：
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
功能描述：
N-CHANNEL MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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