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JANTXV2N6058中文资料Darlington NPN Silicon Power 80V 100V, 12A数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
JANTXV2N6058 |
| 参数属性 | JANTXV2N6058 封装/外壳为TO-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 12A TO3 |
| 功能描述 | Darlington NPN Silicon Power 80V 100V, 12A |
| 封装外壳 | TO-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-1 16:30:00 |
| 人工找货 | JANTXV2N6058价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
JANTXV2N6058规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN silicon power Darlington, 2N6058 and 2N6059 transistors. Three levels of product assurance are (JAN, JANTX and JANTXV) provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/502.
特性 Features
The device package outlines are as follows: TO-204AA (similar to TO-3) for all encapsulated device types.
简介
JANTXV2N6058属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JANTXV2N6058晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANTXV2N6058
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/502
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3（TO-204AA）
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 12A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP |
23+ |
TO-39 |
45 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
MICROCHIP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
MOT |
24+ |
TO-3 |
1236 |
询价 | |||
MICROCHIP |
24+ |
TO-39 |
10000 |
公司只有原装 |
询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
TO-39 |
10000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
MSCL |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
VPT Components |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
MOT(仁懋) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Aeroflex |
24+ |
COC |
6300 |
“芯达集团”专注军工级宇航级元器件欢迎来电咨询0755 |
询价 |
