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JANTXV2N5038数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
JANTXV2N5038 |
参数属性 | JANTXV2N5038 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 90V 20A TO3 |
功能描述 | NPN Silicon High-Power 75V to 90V, 20A |
封装外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-18 17:27:00 |
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JANTXV2N5038规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high-power, 2N5038 and 2N5039 transistors for use in high-speed power-switching applications. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/439. Two levels of product assurance (JANHC and JANKC) are provided for each unencapsulated device.
特性 Features
The device package outlines are as follows: TO-204AA (TO-3) for all encapsulated device types.
The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/439.
简介
JANTXV2N5038属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTXV2N5038晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
JANTXV2N5038
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/439
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 1.2A,12A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 2A,5V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-3
- 描述:
TRANS NPN 90V 20A TO3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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24+ |
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JANTXV2N5114 |
2 |
2 |
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原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
MOT/ST |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
MOT/RCA |
24+ |
TO-3 |
1023 |
询价 | |||
Solitron |
三年内 |
1983 |
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