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JANTXV2N3019P

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

Microchip

微芯科技

JANTXV2N3019S

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

文件:71.18 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

2N3019

HIGH CURRENT, HIGH FREQUENCY AMPLIFIERS

DESCRIPTION The 2N3019 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case, designed for high-current, high frequency amplifier application. It feature high gain and low saturation voltage.

文件:67.65 Kbytes 页数:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N3019

NPN medium power transistor

DESCRIPTION NPN medium power transistor in a TO-39 metal package. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Amplifier and switching circuits.

文件:51.71 Kbytes 页数:8 Pages

PHI

飞利浦

PHI

2N3019

Chip Type 2C3019 Geometry 4500 Polarity PNP

Chip type 2C3019 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Features: Radiation graphs available Product Summary: APPLICATIONS: Designed for general purpose switching and amplifier applications.

文件:31.35 Kbytes 页数:1 Pages

Semicoa

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N3019P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5AA

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

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