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JANTXV2N2906AUB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
JANTXV2N2906AUB |
| 参数属性 | JANTXV2N2906AUB 封装/外壳为3-SMD，无引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.6A UB |
| 功能描述 | PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 文件大小 |
68.47 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Microsemi |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 12:27:00 |
| 人工找货 | JANTXV2N2906AUB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
JANTXV2N2906AUB规格书详情
RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/291
产品属性
- 产品编号：
JANTXV2N2906AUB
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/291
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，无引线
- 供应商器件封装：
UB
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.6A UB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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