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JANTXV1N5613	文件：136.02 Kbytes Page：5 Pages	POWER ZENER RECTIFIER Description ZenerdiodeswithahighsurgecapabilityqualifiedtoMIL-S-19500/434 Features ·1500Wattsfor1msPulsePowerCapability ·SmallPhysicalSize ·DesignedforMIL-STD-704AApplications	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTXV1N5613	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：G，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 175VWM 265VC G AXIAL	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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1N5613	文件：106.21 Kbytes Page：2 Pages	1500WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSUNIDIRECTIONAL	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5613	文件：110.69 Kbytes Page：2 Pages	UNI-DIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VWM:30.5-175VoltsPPP:1500Watts FEATURES: Peakpulsepower:1500Wat10/1000μs ExtensiveranginWorkingPeakStandoff Voltage(VWM)from30.5to175V Highsurgecurrent Excellentrobustconstruction *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5613	文件：125.22 Kbytes Page：1 Pages	ZenerdiodeswithahighsurgecapabilityGlassBodyDiodes Description ZenerdiodeswithahighsurgecapabilityGlassBodyDiodes Features ·1500Wattsfor1msPulsePowerCapability ·SmallPhysicalSize	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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产品属性

产品编号：
JANTXV1N5613
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500/434
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
175V
电压 - 击穿（最小值）：
191V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
265V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
5.7A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
G，轴向
供应商器件封装：
G，轴向
描述：
TVS DIODE 175VWM 265VC G AXIAL

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