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JANTXV1N5417US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JANTXV1N5417US规格书详情
描述 Description
200 VOLT, 2 AMP, 150 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV200VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.7@ 9VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io2AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM80AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr150nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr1µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC6.5°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-B Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号：
JANTXV1N5417US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/411
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，B
- 供应商器件封装：
D-5B
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
21+ |
NA |
336 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
UNI |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
Microsemi |
24+ |
SMD |
24 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
MICROSEMI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
SEMTECH/美国升特 |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
MICROSEMI |
23+ |
NA |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
MICROSEMI |
18+ |
E-MELF |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
SEMTECH |
1706+ |
DMET3AFAST400VHRV |
5800 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 |
