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JANTXV1N4135-1分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
JANTXV1N4135-1 |
参数属性 | JANTXV1N4135-1 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 |
功能描述 | SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES |
封装外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
文件大小 |
86.51 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-6 23:00:00 |
人工找货 | JANTXV1N4135-1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
JANTXV1N4135-1规格书详情
• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA
• METALLURGICALLY BONDED
MAXIMUM RATINGS
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C
Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C
Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum
产品属性
- 产品编号:
JANTXV1N4135-1
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/435
- 包装:
散装
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-65°C ~ 175°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商器件封装:
DO-35(DO-204AH)
- 描述:
DIODE ZENER 100V 500MW DO35
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
DO35(DO204AH) |
7350 |
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TI |
24+ |
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24+ |
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MICROSEMI |
新 |
152 |
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MICROSE |
18+ |
DO-35 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
MICROSEMI/美国美高森美公司 |
23+ |
DO-35/D2-02A |
5000 |
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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MSC |
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100500 |
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Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
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