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JANTXV1N3766R数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

JANTXV1N3766R

参数属性

JANTXV1N3766R 封装/外壳为DO-203AB,DO-5,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

功能描述

Space-Grade Diodes and Rectifiers
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

封装外壳

DO-203AB,DO-5,接线柱

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
Microchip
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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JANTXV1N3766R规格书详情

描述 Description

This series of silicon power rectifier part numbers are qualified up to the JANTXV level for high reliability applications.  They are constructed with glass passivated die and feature glass to metal seal construction.  They have a 500 amp surge rating and provide a VRWM up to 1000 volts.

简介

JANTXV1N3766R属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的JANTXV1N3766R二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANTXV1N3766R

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准型,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AB,DO-5,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-5

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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