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JANTXV1N3766R中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
JANTXV1N3766R |
| 参数属性 | JANTXV1N3766R 封装/外壳为DO-203AB，DO-5，接线柱；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单；产品描述：DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB |
| 功能描述 | Military Silicon Power Rectifier |
| 文件大小 |
113.39 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-10 16:16:00 |
JANTXV1N3766R规格书详情
HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/297
• Glass Passivated Die
• Glass to Metal Seal Construction
• 500 Amps Surge Rating
• VRRM to 1000 Volts
产品属性
- 产品编号：
JANTXV1N3766R
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/297
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准型，反极性
- 电流 - 平均整流 (Io)：
35A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
底座，接线柱安装
- 封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
- 供应商器件封装：
DO-5
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI-美高森美 |
24+25+/26+27+ |
DO-41 |
2368 |
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询价 | ||
MSC |
DO-5 |
691 |
询价 | ||||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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Microchip Technology |
24+ |
DO-5 |
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2019+ |
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Microsemi |
22+ |
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MICROCHIP(美国微芯) |
23+ |
DO41 |
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MICROSEMI |
1809+ |
DO-5 |
26 |
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