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2N3467	文件：80.65 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorPNP-SaturatedSwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize30x30MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea3.85x4.20MILS EmitterBondingPadArea7.35x3.75MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-15,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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2N3467	文件：217.99 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD,NEWJERSEY07081	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N3467	文件：745.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3467L	文件：83.12 Kbytes Page：2 Pages	Type2N3467LGeometry6706PolarityPNP Features: •General-purposetransistorforswitchingandamplifierapplicatons. •HousedinaTO-5case. •Alsoavailableinchipformusingthe6706chipgeometry. •TheMinandMaxlimitsshownareperMIL-PRF-19500/348whichSemicoameetsinallcases.	Semicoa SEMICOA	Semicoa
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