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JANTX1N4614分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
JANTX1N4614 |
参数属性 | JANTX1N4614 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 1.8V 500MW DO35 |
功能描述 | SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES |
封装外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
文件大小 |
86.51 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 8:24:00 |
人工找货 | JANTX1N4614价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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JANTX1N4614规格书详情
JANTX1N4614属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由美高森美公司制造生产的JANTX1N4614二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA
• METALLURGICALLY BONDED
MAXIMUM RATINGS
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C
Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C
Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum
产品属性
更多- 产品编号:
JANTX1N4614 (DO35)
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/435
- 包装:
卷带(TR)
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-65°C ~ 175°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商器件封装:
DO-35
- 描述:
DIODE ZENER 1.8V 500MW DO35
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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