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JANSR2N7373数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
JANSR2N7373 |
| 参数属性 | JANSR2N7373 封装/外壳为TO-254-3，TO-254AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：RH POWER BJT |
| 功能描述 | Rad-Hard Transistors |
| 封装外壳 | TO-254-3，TO-254AA |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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JANSR2N7373规格书详情
简介
JANSR2N7373属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JANSR2N7373晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANSR2N7373
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/613
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 2.5A，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA
- 供应商器件封装：
TO-254AA
- 描述：
RH POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(国际整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
MICROSEMI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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IR |
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SMD |
5 |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
N/A |
N/A |
100 |
军工品,原装正品 |
询价 | ||
IR |
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原装正品 |
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MICROSEMI |
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IR |
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