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JANSP2N3501数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
JANSP2N3501 |
| 参数属性 | JANSP2N3501 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：RH SMALL-SIGNAL BJT |
| 功能描述 | Rad-Hard Transistors |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 15:02:00 |
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JANSP2N3501规格书详情
描述 Description
This family of JANS 2N3498 through JANS 2N3501 epitaxial, planar transistors are military qualified in five RHA (Radiation Hardness Assurance) levels for high-reliability applications. These devices are also available in TO-5 and low profile surface mount UB packaging. Microsemi also offers numerous other radiation hardened transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
简介
JANSP2N3501属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JANSP2N3501晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANSP2N3501
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/366
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 15mA，150mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
- 描述：
RH SMALL-SIGNAL BJT
