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JANSL2N5154U3

Rad-Hard Transistors

These RHA level 2N5152U3 and 2N5154U3 silicon transistor devices are military Radiation Hardness Assurance qualified per MIL-PRF-19500/544 up to a JANSF level for high-reliability applications.

Microchip

微芯科技

JANSL2N5154U3

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH POWER BJT

Microchip

微芯科技

2N5154U3

NPN Power Silicon Transistor

文件:469.25 Kbytes 页数:4 Pages

MA-COM

JANSR2N7382

SOP

JANSR2N7391

DIP

Infineon / IR

上传:深圳市近平电子有限公司

Infineon / IR

产品属性

  • 产品编号:

    JANSL2N5154U3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 2.5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    U3(SMD-0.5)

  • 描述:

    RH POWER BJT

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更多JANSL2N5154U3供应商 更新时间2025-10-30 11:06:00