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JANSL2N3019中文资料Rad-Hard Transistors数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
JANSL2N3019 |
| 参数属性 | JANSL2N3019 封装/外壳为TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：RH SMALL-SIGNAL BJT |
| 功能描述 | Rad-Hard Transistors |
| 封装外壳 | TO-205AA，TO-5-3 金属罐 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 17:16:00 |
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JANSL2N3019规格书详情
描述 Description
This RHA level 2N3019 and 2N3019S NPN leaded metal device is RAD hard qualified for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
简介
JANSL2N3019属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的JANSL2N3019晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANSL2N3019
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/391
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-5AA
- 描述：
RH SMALL-SIGNAL BJT
