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JANSH2N2219A

NPN Silicon Switching 30V to 50V, 0.8A, 1M TID

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, switching, 2N2218 and 2N2219 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/251. RHA level designators “M”, “D”, “P“, “L”, “R”, “F”, “

Microchip

微芯科技

JANSH2N2219A

Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

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微芯科技

JANSH2N2219AL

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

Microchip

微芯科技

JANTX2N2219

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

文件:68.75 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JANTX2N2219A

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

文件:68.75 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JANTX2N2219AL

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

文件:68.75 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANSH2N2219A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    RH SMALL-SIGNAL BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多JANSH2N2219A供应商 更新时间2025-10-30 16:50:00