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JANSF2N7624U3中文资料抗辐射 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

JANSF2N7624U3

功能描述

抗辐射 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-31 18:31:00

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JANSF2N7624U3规格书详情

描述 Description

P 通道 MOSFET JANSF2N7624U3 是单个抗辐射元件,额定电压为 -60V,容量为 -22A。其 SMD-0.5 封装具有高达 300krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能,非常适合空间应用。R7 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗,非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

技术参数

  • 制造商编号

    :JANSF2N7624U3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID (@100°C) max

    :-14.9 A

  • ID (@25°C) max

    :-22 A

  • QG

    :36 nC

  • QPL Part Number

    :2N7624U3

  • RDS (on)(@25°C) max

    :72 mΩ

  • TIDmax

    :300 Krad(Si)

  • VBRDSS

    :-60 V

  • VFmax

    :-5 V

  • Product Category

    :Rad hard MOSFETS

  • Optional TID Rating(kRad(si))

    :100 300

  • Package

    :SMD-0.5

  • Polarity

    :P

  • Generation

    :R7

  • Voltage Class

    :100 V

  • Die Size

    :3

  • Qualification

    :DLA

  • Language

    :SPICE

  • Configuration

    :Discrete

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