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JANSD2N3637UB中文资料Rad-Hard Transistors数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
JANSD2N3637UB |
| 参数属性 | JANSD2N3637UB 封装/外壳为3-SMD，无引线；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：RH SMALL-SIGNAL BJT |
| 功能描述 | Rad-Hard Transistors |
| 封装外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 15:01:00 |
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JANSD2N3637UB规格书详情
简介
JANSD2N3637UB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的JANSD2N3637UB晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANSD2N3637UB
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/357
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，无引线
- 供应商器件封装：
UB
- 描述：
RH SMALL-SIGNAL BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microchip Technology |
25+ |
3-SMD 无引线 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
70000 |
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Microsemi |
1942+ |
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SMD |
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