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JANS2N5153U3/TR

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

Microchip

微芯科技

JANTX2N5153U3

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/545

文件:178.59 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

JANTXV2N5153U3

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/545

文件:178.59 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

2N5153U3

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

文件:178.59 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

2N5153U3

NPN Power Silicon Transistor

Features • JANS and JANSR Qualified to MIL-PRF-19500/544 • JEDEC Registered 2N5153 • Lightweight & Low Power • Ideal for Space, Military, and Other High Reliability Applications • Surface Mount U3 Package

文件:467.8 Kbytes 页数:4 Pages

MA-COM

JAN2N5153U3

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/545

文件:178.59 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANS2N5153U3/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    MIL-PRF-19500/545

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 2.5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    U3

  • 描述:

    POWER BJT

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更多JANS2N5153U3/TR供应商 更新时间2025-10-12 9:18:00