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JANS1N6139AUS/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SQ-MELF，C 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQ-MELF	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N6139	文件：111.37 Kbytes Page：3 Pages	1500WBI-POLARITYTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS Description Quickreferencedata VBRMIN=6.12-180V I(BR)=5mA-175mA VRWM=5.2-152V VC(max)=11V-286V Features ◆Lowdynamicimpedance ◆1500wattpeakpulsepower ◆7.5WcontinuousatTL=25°C	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N6139	文件：104.01 Kbytes Page：2 Pages	BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6139	文件：108.67 Kbytes Page：2 Pages	BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6139	文件：47.69 Kbytes Page：4 Pages	1500WBipolarTransientVoltageSuppressorSurfaceMount(US)	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N6139	文件：94.5 Kbytes Page：5 Pages	1500WBipolarTransientVoltageSuppressors	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N6139	文件：246.75 Kbytes Page：2 Pages	1500WBIPOLARTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N6139	文件：133.43 Kbytes Page：5 Pages	1500WBipolarTransientVoltageSuppressors	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N6139A	文件：386.96 Kbytes Page：1 Pages	Dimensionsininchesand(millimeters)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N6139A	文件：89.67 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSURGECAPACITYPROVIDESTRANSIENTPROTECTIONFORMOSTCRITICALCIRCUITS FEATURES •HIGHSURGECAPACITYPROVIDESTRANSIENTPROTECTIONFORMOSTCRITICALCIRCUITS. •TRIPLELAYERPASSIVATION. •SUBMINIATURE. •METALLURGICALLYBONDED. •VOIDLESSHERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE •DYNAMICIMPEDANCEANDREVERSELEAKAGELOWESTAVAILABLE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N6139A	文件：453.11 Kbytes Page：3 Pages	BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N6139A	文件：509.7 Kbytes Page：7 Pages	VoidlessHermeticallySealedBidirectionalTransientVoltageSuppressors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6139A	文件：41.46 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorDiode,1500W TransientVoltageSuppressorDiode,1500W •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •OperatingandStorageTemperature:-55°Cto+175°C	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N6139A	文件：47.69 Kbytes Page：4 Pages	1500WBipolarTransientVoltageSuppressorSurfaceMount(US)	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N6139A	文件：31.16 Kbytes Page：2 Pages	QPL1500WattAxialLeadedTVS DESCRIPTION The1N61xxseriesoftransientvoltagesuppressorsaredesignedtoprotectmilitaryandcommercialelectronicequipmentfromovervoltagescausedbylightning,ESD,EFT,inductiveloadswitching,andEMP.Thesedevicesareconstructedusingtwop-njunctionTVSdiodesinaback-to-back	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N6139A	文件：108.67 Kbytes Page：2 Pages	BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6139A	文件：104.01 Kbytes Page：2 Pages	BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6139AUS	文件：41.46 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorDiode,1500W TransientVoltageSuppressorDiode,1500W •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •OperatingandStorageTemperature:-55°Cto+175°C	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N6139AUS	文件：513.27 Kbytes Page：7 Pages	VoidlessHermeticallySealedSurfaceMountBidirectionalTransientVoltageSuppressors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6139AUS	文件：119.7 Kbytes Page：4 Pages	1500WBipolarTransientVoltageSuppressorSurfaceMount(US) Description Quickreferencedata VBRMIN=6.12-180V VRWM=5.2-152V VC(max)=11-273V I(BR)1N6138-1N6173=5mA-175mA Features ◆Lowdynamicimpedance ◆Hermeticallysealednon-cavityconstruction ◆1500wattpeakpulsepower ◆7.5Wcontinuous	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH

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产品属性

产品编号：
JANS1N6139AUS/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500/516
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5.7V
电压 - 击穿（最小值）：
7.13V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
133.9A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SQ-MELF，C
供应商器件封装：
C，SQ-MELF
描述：
TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQ-MELF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	JANS1N6139AUS/TR	MICROCHIP(美国微芯)	23+	MELF-SQ	907	代工代料,一站式配套服务。	询价
深圳市微纳尔电子实业有限公司	JANS1N6139AUS/TR	Microchip	21+		15000	只做原装	询价
深圳市川蓝电子科技有限公司	JANS1N6139AUS/TR	microchipdirect	23+		15420	原包装原标现货,假一罚十,	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	JANS1N6140AUS	MICROCHIP/微芯	2020+	C-Package-2(MELF)	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	JANS1N6141	MICROCHIP(美国微芯)	23+		6000		询价

更多JANS1N6139AUS/TR供应商更新时间2024-5-16 16:54:00

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