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JANKCB2N5004数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
JANKCB2N5004 |
参数属性 | JANKCB2N5004 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 50UA DIE |
功能描述 | NPN Silicon Power 80V, 10A |
封装外壳 | 模具 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 14:10:00 |
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JANKCB2N5004规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N5002 and 2N5004 transistors for use in high-speed power-switching applications. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/534. Two levels of product assurance (JANHC and JANKC) for each unencapsulated device type die.
特性 Features
The device package outline is a TO-210AA (formerly TO-59) for all encapsulated device types.
简介
JANKCB2N5004属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANKCB2N5004晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
JANKCB2N5004
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/534
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 2.5A,5V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
接线柱安装
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 描述:
TRANS NPN 80V 50UA DIE