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JANKCA2N3634数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
JANKCA2N3634 |
参数属性 | JANKCA2N3634 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 140V 1A TO39 |
功能描述 | PNP Silicon Amplifier -140V, -1A |
封装外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 14:01:00 |
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JANKCA2N3634规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, radiation hardened, low-power amplifier, and switching 2N3634 through 2N3637 transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/357 and two levels of product assurance are provided for unencapsulated die (JANHC and JANKC).
特性 Features
The device package for the encapsulated device type are as follows: TO-5 and TO-39 and surface mount.
The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/357.
简介
JANKCA2N3634属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANKCA2N3634晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
JANKCA2N3634
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/357
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 50mA,10V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39(TO-205AD)
- 描述:
TRANS PNP 140V 1A TO39