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JANHCB2N5002中文资料NPN Silicon Power 80V, 10A数据手册Microchip规格书
JANHCB2N5002规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N5002 and 2N5004 transistors for use in high-speed power-switching applications. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/534. Two levels of product assurance (JANHC and JANKC) for each unencapsulated device type die.
特性 Features
The device package outline is a TO-210AA (formerly TO-59) for all encapsulated device types.
简介
JANHCB2N5002属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的JANHCB2N5002晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANHCB2N5002
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/534
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 2.5A，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
TRANS NPN 80V 50UA DIE
