JAN2N6299中文资料Darlington Transistors数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
JAN2N6299 |
| 参数属性 | JAN2N6299 封装/外壳为TO-213AA，TO-66-2；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 80V 8A TO213AA |
| 功能描述 | Darlington Transistors |
| 封装外壳 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-10 11:10:00 |
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JAN2N6299规格书详情
描述 Description
This high speed PNP transistor is rated at 8 amps and is military qualified up to a JANTXV level. This TO-213AA isolated package features a 180 degree lead orientation.
简介
JAN2N6299属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的JAN2N6299晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JAN2N6299
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/540
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 16mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 4A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 8A TO213AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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