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JAN2N5005数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

JAN2N5005

参数属性

JAN2N5005 封装/外壳为TO-210AA,TO-59-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 5A TO59

功能描述

PNP Transistor
TRANS PNP 80V 5A TO59

封装外壳

TO-210AA,TO-59-4,接线柱

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:39:00

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JAN2N5005规格书详情

描述 Description

This high speed transistor is rated at 5 amps and is military qualified up to a JANTXV level.  This TO-59 isolated package is available with a 180 degree lead orientation.  Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.

简介

JAN2N5005属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JAN2N5005晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JAN2N5005

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/535

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 2.5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-210AA,TO-59-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-59

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 5A TO59

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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