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JAN2N3999分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

JAN2N3999
厂商型号

JAN2N3999

参数属性

JAN2N3999 封装/外壳为TO-210AA,TO-59-4,接线柱;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 10A TO59

功能描述

NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-210AA,TO-59-4,接线柱

文件大小

65.65 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:24:00

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JAN2N3999规格书详情

NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/374

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N3999

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/374

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,2V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-210AA,TO-59-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-59

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A TO59

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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