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JAN2N3019S中文资料NPN Transistor数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
JAN2N3019S |
参数属性 | JAN2N3019S 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO39 |
功能描述 | NPN Transistor |
封装外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 10:29:00 |
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JAN2N3019S规格书详情
描述 Description
This 2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
简介
JAN2N3019S属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JAN2N3019S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
JAN2N3019S
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/391
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 500mA,10V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39
- 描述:
TRANS NPN 80V 1A TO39
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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