首页>JAN2N3019S>规格书详情

JAN2N3019S中文资料NPN Transistor数据手册Microchip规格书

PDF无图
厂商型号

JAN2N3019S

参数属性

JAN2N3019S 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO39

功能描述

NPN Transistor
TRANS NPN 80V 1A TO39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 10:29:00

人工找货

JAN2N3019S价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

JAN2N3019S规格书详情

描述 Description

This 2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.  Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

简介

JAN2N3019S属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JAN2N3019S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JAN2N3019S

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS/国半
2450+
CAN3
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
Microsemi
1941+
N/A
106
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
RCA
8003
TO-3
10
普通
询价
Microsemi
22+
NA
106
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
24+
N/A
48000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
24+
TO-03
200
进口原装正品优势供应
询价
MOT
24+
TO-3
276
询价
MOT
0212+
CAN3
200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
XILINX直供
CDIP8
3647
莱克讯每片来自原厂!价格超越代理!只做进口原装!
询价
Microchip Technology
25+
TO-205AD TO-39-3 金属罐
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价