JAN2N2920U/TR_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列-微芯科技

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100+	¥381.53920

厂家型号：
JAN2N2920U/TR
制造商：
MICROCHIP/微芯科技
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列
封装外壳：
3-SMD，无引线
包装：
散装
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-10-29 15:01:00

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原厂料号：JAN2N2920U/TR品牌：Microchip Technology

资料说明：TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

JAN2N2920U/TR是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商MICROCHIP/微芯科技生产封装3-SMD，无引线的JAN2N2920U/TR晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
JAN2N2920U/TR
规格书：
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企业简称：
MICROCHIP【微芯科技】详情
厂商全称：
Microchip Technology
中文名称：
美国微芯科技公司
资料说明：
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

产品属性

类型
描述
产品编号：
JAN2N2920U/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
系列：
Military, MIL-PRF-19500/355
包装：
散装
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1mA，5V
功率 - 最大值：
350mW
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
供应商器件封装：
3-SMD
描述：
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

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