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JAN2N2907AL分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

JAN2N2907AL
厂商型号

JAN2N2907AL

参数属性

JAN2N2907AL 封装/外壳为4-SMD,无引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.6A UA

功能描述

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

封装外壳

4-SMD,无引线

文件大小

68.47 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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JAN2N2907AL规格书详情

RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/291

产品属性

  • 产品编号:

    JAN2N2907AL

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/291

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UA

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.6A UA

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