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JAN1N829中文资料Legacy Power Discretes & Modules数据手册Microchip规格书

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厂商型号

JAN1N829

参数属性

JAN1N829 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER TEMP COMPENSATED

功能描述

Legacy Power Discretes & Modules
DIODE ZENER TEMP COMPENSATED

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 14:53:00

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JAN1N829规格书详情

描述 Description

The popular 1N821 thru 1N829 series of Zero-TC Reference Diodes provides a selection of both 6.2 V and 6.55 V nominal voltages and temperature coefficients to as low as 0.0005%/oC for minimal voltage change with temperature when operated at 7.5 mA. These glass axial-leaded DO-7 reference diodes are also available in JAN, JANTX, JANTXV, and JANS military qualifications. Microsemi also offers numerous other Zener Reference Diode products for a variety of other voltages up to 200 V.

简介

JAN1N829属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的JAN1N829二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

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  • 产品编号:

    JAN1N829-1/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/159

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±5%

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35(DO-204AH)

  • 描述:

    DIODE ZENER TEMP COMPENSATED

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