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JAN1N6472US/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SQ-MELF，G；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 15VWM 26.5VC G-MELF	Microchip 微芯科技	Microchip
1N6472	文件：74.73 Kbytes Page：2 Pages	TRANSEINT SUPPRESSOR DESCRIPTION This series of industry recognized voidless-hermetically-sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) designs is military qualified to MIL-PRF- 19500/551 and are ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. They provide a Working Peak “Stand 文件：74.73 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N6472	文件：24.54 Kbytes Page：2 Pages	QPL 1500 Watt Axial Leaded TVS 文件：24.54 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
1N6472	文件：331.37 Kbytes Page：3 Pages	Voidless-Hermetically-Sealed Unidirectiona Transient Suppressors FEATURES • HIGH SURGE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FORMOST CRITICAL CIRCUITS. • TRIPLE LAYER PASSIVATION. • SUBMINIATURE. • METALLURGICAILY BONDED. • VOIDLESS HERMETICALLY SEALED GLASS PACKAGE. • DYNAMIC IMPEDANCE AND REVERSE LEAKAGELOWEST AVAILABLE. • JAN/TX/TXV TYPES AVAILABLE P 文件：331.37 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

产品属性

产品编号：
JAN1N6472US/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500/552
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
15V
电压 - 击穿（最小值）：
16.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
26.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
322A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SQ-MELF，G
供应商器件封装：
G-MELF（D-5C）
描述：
TVS DIODE 15VWM 26.5VC G-MELF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	JAN1N6472US/TR	MICROCHIP(美国微芯)	24+	MELF-G	907	代工代料,一站式配套服务。	询价
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更多JAN1N6472US/TR供应商更新时间2025-11-16 15:14:00

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