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JAN1N3671A	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier Military Silicon Power Rectifier • Available in JAN, JANTX and JANTXV • MIL-PRF-19500/260 • Glass passivated die • Glass to metal seal construction • 240 Amps surge rating • VRRM to 1000 volts 文件：106.56 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JAN1N3671A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode and Rectifier Devices	Microchip 微芯科技	Microchip
JAN1N3671A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JAN1N3671AR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
JAN1N3671A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/260
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

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更多JAN1N3671A供应商更新时间2026-1-23 15:01:00

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