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JAN1N2970RB	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10 WATT ZENER DIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N2970RB	文件：482.1 Kbytes Page：8 Pages	10 Watt Zener Diodes Qualified per MIL-PRF-19500/124	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N2970RB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 6.8V 10W DO213AA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
JAN1N2970RBE3	文件：482.1 Kbytes Page：8 Pages	10 Watt Zener Diodes Qualified per MIL-PRF-19500/124	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N2970	文件：1.03124 Mbytes Page：2 Pages	Glasspassivatedjunction Features ●Glasspassivatedjunction ●Goodclampingability ●AvailableinNormalandReversepolarity ●MetricandUNFthreadtype ElectricalData ●DCPowerDissipation:10Watts ●VoltageRange6.8–200Volts ●Operatingtemperature-65°Cto+175°C ●Derating:80mW/oCabove50°C ●	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
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1N2970B	文件：135.76 Kbytes Page：2 Pages	10WZENERDIODE6.8VOLTSTO200VOLTS5TOLERANCE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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产品属性

产品编号：
JAN1N2970RB
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/124
包装：
散装
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 175°C
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-213AA（DO-4）
描述：
DIODE ZENER 6.8V 10W DO213AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多JAN1N2970RB供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

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