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1N1184	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	MilitarySiliconPowerRectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1184	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N1184	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1184	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1184	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1184	文件：123.92 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1184	文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1184	文件：132.23 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1184	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1184	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N1184	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIER STANDARDRECOVERYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N1184	文件：407.24 Kbytes Page：2 Pages	DEVICEHIGHPOWERSTANDARD Features •HighSurgeCapability •Typesupto1000V	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N1184	文件：722.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1184	文件：559.99 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N1184	文件：703.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50to300VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1184	文件：628.99 Kbytes Page：1 Pages	General-Purpose	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
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更多JAN1N1184RB供应商更新时间2024-5-23 17:44:00

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