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SIHFD310-E3	文件：1.25725 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)400 RDS(on)(Ω)VGS=10V3.6 Qg(Max.)(nC)17 Qgs(nC)3.4 Qgd(nC)8.5 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR310-E3	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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VSSB310-E3	文件：102.72 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSSB310-E3	文件：94.04 Kbytes Page：4 Pages	Idealforautomatedplacement	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
J310-E3
功能描述：
JFET 25V 24mA
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
50 mA 漏源电压
VDS：
15 V
漏极连续电流：
50 mA
封装/箱体：
SC-59
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多J310-E3供应商更新时间2025-7-24 10:49:00

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