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2N6764	文件：140.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,38A,60V/100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6764	文件：244.82 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6764	文件：256.99 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION Thisfamilyof2N6764,2N6766,2N6768and2N6770switchingtransistorsaremilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhigh-reliabilityapplications.ThesedevicesarealsoavailableinathruholeTO-254AAleadedpackage.Microsemialsooffersnumerousothertransistorproductsto	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6764	文件：256.99 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFET DESCRIPTION Thisfamilyof2N6764,2N6766,2N6768and2N6770switchingtransistorsaremilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhigh-reliabilityapplications.ThesedevicesarealsoavailableinathruholeTO-254AAleadedpackage.Microsemialsooffersnumerousothertransistorproductsto	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6764	文件：257.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6764	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	VGSRatedat짹20V DESCRIPTION •VGSRatedat±20V •SiliconGateforfastswitchingspeeds •IDSS、RDS(ON)，specifiedatelevatedtemperature •Lowdrivereqirements APPLICATIONS designedforhighpower,highspeedapplication,suchas switchingapplies,UPS,ACandDCmotorcontrols, relayandhigh	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6764	文件：161.77 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODE The2N6763and2N6764aren-channelenhancement-modesilicon-gatepowerMOSfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriver;:,anddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6764	文件：93.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors The2N6763and2N6764aren-channelenhancement-modesilicon-gatepowerMOSfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriver;:,anddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
JAN2N6764	文件：1.0066 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION Thisfamilyof2N6764,2N6766,2N6768and2N6770switchingtransistorsaremilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhigh-reliabilityapplications.ThesedevicesarealsoavailableinathruholeTO-254AAleadedpackage.Microsemialsooffersnumerousothertransistorproductsto	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX2N6764	文件：1.0066 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION Thisfamilyof2N6764,2N6766,2N6768and2N6770switchingtransistorsaremilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhigh-reliabilityapplications.ThesedevicesarealsoavailableinathruholeTO-254AAleadedpackage.Microsemialsooffersnumerousothertransistorproductsto	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX2N6764	文件：153.7 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6764	文件：150.48 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.055ohm,Id=38A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6764	文件：254.27 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.055ohm,Id=38A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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深圳市河锋鑫科技有限公司	J2N6781	IR	22+	CAN3	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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