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IXYH85N120C4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IXYH85N120C4 |
| 参数属性 | IXYH85N120C4 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 85A GEN4 XPT TO247 |
| 功能描述 | XPT™ 沟槽 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Littelfuse littelfuse |
| 中文名称 | 力特 力特公司 |
| 原厂标识 | Littelfuse |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 11:22:00 |
| 人工找货 | IXYH85N120C4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXYH85N120C4规格书详情
特性 Features
• 低Vcesat、低Eon/Eoff
• 高浪涌电流能力和短路能力
• 正热系数Vcesat
应用 Application
• 电池充电器
• 灯镇流器
• 电机驱动器
• 电源逆变器
• 焊接机械
技术参数
- 制造商编号
：IXYH85N120C4
- 生产厂家
：Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
：160
- Maximum Repetitive Peak Collector Current (A)
：420
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：2.5
- TJ Max (°C)
：175
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
：112
- Configuration
：Single
- Package Type
：TO-247
- Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)
：3.3
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
：85
- RthJC - Junction-to-Case Thermal Resistance (Per IGBT) (K/W)
：0.13
- Ptot - Power Dissipation Per IGBT (W)
：1150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IXYS品牌 |
2016+ |
TO-3P |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 |
