IXTT50P10数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXTT50P10规格书详情
特性 Features
• 低RDS(on) HDMOS过程
• 坚固的多晶硅栅极单元结构
• 雪崩评级
• 较低的封装电感
• 国际标准包装
应用 Application
• 高压侧开关
• 推挽式放大器
• 直流斩波器
• 自动测试设备
技术参数
- 型号：
IXTT50P10
- 功能描述：
MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
75322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
7000 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
