IXTT10P60数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXTT10P60规格书详情
特性 Features
• 低RDS(on) HDMOS过程
• 坚固的多晶硅栅极单元结构
• 雪崩评级
• 较低的封装电感
• 国际标准包装
应用 Application
• 高压侧开关
• 推挽式放大器
• 直流斩波器
• 自动测试设备
技术参数
- 型号：
IXTT10P60
- 功能描述：
MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
CK605 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IXYX |
20+ |
TO-268 |
210 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYX |
23+ |
TO-268 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-268 |
8866 |
询价 |
