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IXTT10P60中文资料PDF规格书

IXTT10P60
厂商型号

IXTT10P60

功能描述

Power MOSFETs

文件大小

134.48 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 18:10:00

IXTT10P60规格书详情

Power MOSFETs

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features

• International Standard Packages

• Low RDS (on) HDMOSTM Process

• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

• Avalanche Rated

• Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Applications

• High-Side Switching

• Push Pull Amplifiers

• DC Choppers

• Automatic Test Equipment

产品属性

  • 型号:

    IXTT10P60

  • 功能描述:

    MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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