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IXTQ470P2中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXTQ470P2
厂商型号

IXTQ470P2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件大小

95.1 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:08:00

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产品属性

  • 型号:

    IXTQ470P2

  • 功能描述:

    MOSFET PolarP2 Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
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