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IXTP60N10T中文资料思祁半导体数据手册PDF规格书

IXTP60N10T
厂商型号

IXTP60N10T

功能描述

60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET

文件大小

1.43302 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

THINKISEMI思祁半导体

中文名称

思祁半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 23:07:00

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产品属性

  • 型号:

    IXTP60N10T

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET Id60 BVdass100

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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